壓力傳感器敏感元件的制造工藝

本發明公開一種壓力傳感器敏感元件的制造工藝，其第一、第二摻硼P型微晶硅條為由若干根沿徑向排列的微晶硅電阻絲首尾連接組成；在杯形襯底附近通入高純氧氣與氬氣的混合氣體，混合氣體氧氣氬氣體積比為1：13，總氣壓大小為Pa，在250℃溫度下，用加速能量為2000eV的氬離子束轟擊99.95%的二氧化硅靶材，沉積厚度1～5μm作為絕緣隔離層的二氧化硅隔離層；以電阻率為Ω﹒m摻硼硅為靶材，在高純氬氣的氣氛中，用離子束濺射方法，生長溫度為300℃，通過覆蓋第一掩模板在二氧化硅隔離層上制備出厚度為1～5μm摻硼P型微晶硅條。本發明敏感層薄膜附著力強，既大大提升了量程，又提高了感應的精度和靈敏性，且提高了壓力傳感器的信號線性度。